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Undoped a 3 pollici del grado del wafer principale di InSb per il tipo infrarosso di astronomia N

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Spessore a 2 pollici del grado 500±25um della prova del wafer dell'antimoniuro di gallio di GaSb a semiconduttore

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Substrato a 3 pollici di GE dal monocristallo lucidato Undoped del wafer della CZ Powerway

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Tipo tecnologia a 3 pollici della lastra di silicio a semiconduttore FZ N di epitassia della crescita dei cristalli

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Tipo d'isolamento uso a fibra ottica di SI del wafer del InP dell'a cristallo dei semi fittizi a 3 pollici del grado

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Tipo substrato di si di GaN indipendente per III la richiesta ad alta velocità di LDs del nitruro

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XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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